一種配比可控的大面積高通量復合薄膜合成裝置

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201822157390.X 申請日 -
公開（公告）號 CN209194035U 公開（公告）日 2019-08-02
申請公布號 CN209194035U 申請公布日 2019-08-02
分類號 C23C14/04（2006.01）I; C23C14/28（2006.01）I; C23C14/50（2006.01）I; C23C14/54（2006.01）I 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 張曉軍 申請（專利權）人 深圳市矩陣多元科技有限公司
代理機構 佛山市海融科創(chuàng)知識產(chǎn)權代理事務所（普通合伙） 代理人 陳志超
地址 518057 廣東省深圳市福田區(qū)福田街道圩鎮(zhèn)社區(qū)福田路24號海岸環(huán)慶大廈24層2401Ⅰ
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型提供一種配比可控的大面積高通量復合薄膜合成裝置，本裝置中設置了可移動的基片架，并在基片架和靶材之間設置了用于遮擋掩膜部分區(qū)域的擋板，在合成薄膜的過程中，利用擋板掩蓋部分掩膜孔并移動基片架，調整基片架與靶材的相對位置和移動速度，從而調整輝羽中心在每個掩膜孔中停留的時間，不僅可以控制每個掩膜孔對應復合薄膜樣品的厚度，克服了高通量PLD鍍膜不均勻的缺陷，還可以通過控制每個掩膜孔在沉積不同材料時，輝羽中心停留的時間比，調整每個掩膜孔對應的基片樣品中沉積的不同材料之間的配比，從而實現(xiàn)配比可控。