一種高通量掩膜版及高通量薄膜制造設(shè)備

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202022729297.9 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN214991797U 公開（公告）日 2021-12-03
申請(qǐng)公布號(hào) CN214991797U 申請(qǐng)公布日 2021-12-03
分類號(hào) C23C14/04（2006.01）I;C23C14/34（2006.01）I 分類 對(duì)金屬材料的鍍覆；用金屬材料對(duì)材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴(kuò)散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 張曉軍;胡凱;姜鷺;方安安;陳志強(qiáng);楊洪生;董帥;袁國(guó)亮;劉東方;尹曦;鄭曉昊 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 深圳市矩陣多元科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 深圳市華優(yōu)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 余薇
地址 518000廣東省深圳市南山區(qū)西麗街道朗山路28號(hào)通產(chǎn)新興產(chǎn)業(yè)園3號(hào)廠房1樓北側(cè)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型適用于高通量掩膜版技術(shù)領(lǐng)域，提供了一種高通量掩膜版及高通量薄膜制造設(shè)備，包括：固定在基片上的單孔掩膜版、以及設(shè)置在單孔掩膜版上的梯形掩膜版，所述梯形掩膜版上至少設(shè)有第一梯形孔和第二梯形孔，通過所述梯形掩膜版在所述單孔掩膜版上移動(dòng)的方式濺射薄膜到所述基片上形成薄膜厚度梯度；通過將所述梯形掩膜版移動(dòng)在所述單孔掩膜版上能夠?yàn)R射薄膜到基片上，在將梯形掩膜版不斷的移動(dòng)過程中會(huì)生長(zhǎng)成薄膜厚度梯度，三個(gè)方向上的梯度組合形成不同的材料，從而提高了材料的制備效率；本實(shí)用新型提高了高通量材料的制造效率，節(jié)約成本，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，適用范圍廣。