一種脈沖激光沉積和磁控濺射復(fù)合系統(tǒng)
基本信息
申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201922082352.7 | 申請(qǐng)日 | - |
公開(公告)號(hào) | CN211445880U | 公開(公告)日 | 2020-09-08 |
申請(qǐng)公布號(hào) | CN211445880U | 申請(qǐng)公布日 | 2020-09-08 |
分類號(hào) | C23C14/28(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I | 分類 | - |
發(fā)明人 | 張曉軍;陳志強(qiáng);朱新華;胡凱;姜鷺;方安安 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人 | 深圳市矩陣多元科技有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 深圳市華優(yōu)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) | 代理人 | 余薇 |
地址 | 518000廣東省深圳市南山區(qū)西麗街道朗山路28號(hào)通產(chǎn)新興產(chǎn)業(yè)園3號(hào)廠房1樓北側(cè) | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本實(shí)用新型適用于材料制造技術(shù)領(lǐng)域,提供了一種脈沖激光沉積和磁控濺射復(fù)合系統(tǒng),包括:腔體,其頂部設(shè)置有基片臺(tái);脈沖激光沉積系統(tǒng),其包括設(shè)置于腔體底部的靶材切換裝置以及設(shè)置于所述靶材切換裝置上的PLD靶材擋板,所述PLD靶材擋板設(shè)置有一開孔,所述靶材切換裝置可將其上靶材切換至所述開孔位置;磁控濺射系統(tǒng),其包括設(shè)置于腔體內(nèi)用于控制磁控濺射靶材對(duì)準(zhǔn)所述基片臺(tái)的靶材對(duì)準(zhǔn)裝置、用于升降靶材控制裝置的升降裝置,以及由磁屏蔽材料制作的磁控?fù)醢逵靡哉诒嗡龃趴貫R射靶材。本實(shí)用新型實(shí)現(xiàn)了一個(gè)復(fù)合系統(tǒng)中同時(shí)具有脈沖激光沉積系統(tǒng)和磁控濺射系統(tǒng),從而降低了裝置的制造成本。?? |
