一種高通量掩膜版、高通量薄膜制造設(shè)備及制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011322226.5 申請日 -
公開（公告）號 CN112795869A 公開（公告）日 2021-05-14
申請公布號 CN112795869A 申請公布日 2021-05-14
分類號 C23C14/04;C23C14/34 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 張曉軍;胡凱;姜鷺;方安安;陳志強;楊洪生;董帥;袁國亮;劉東方;尹曦;鄭曉昊 申請（專利權(quán)）人 深圳市矩陣多元科技有限公司
代理機構(gòu) 深圳市華優(yōu)知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 余薇
地址 518000 廣東省深圳市南山區(qū)西麗街道朗山路28號通產(chǎn)新興產(chǎn)業(yè)園3號廠房1樓北側(cè)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明適用于高通量掩膜版技術(shù)領(lǐng)域，提供了一種高通量掩膜版、高通量薄膜制造設(shè)備及制造方法，包括：固定在基片上的單孔掩膜版、以及設(shè)置在單孔掩膜版上的梯形掩膜版，所述梯形掩膜版上至少設(shè)有第一梯形孔和第二梯形孔，通過所述梯形掩膜版在所述單孔掩膜版上移動的方式濺射薄膜到所述基片上形成薄膜厚度梯度；通過將所述梯形掩膜版移動在所述單孔掩膜版上能夠濺射薄膜到基片上，在將梯形掩膜版不斷的移動過程中會生長成薄膜厚度梯度，三個方向上的梯度組合形成不同的材料，從而提高了材料的制備效率；本發(fā)明提高了高通量材料的制造效率，節(jié)約成本，結(jié)構(gòu)簡單，適用范圍廣。