一種核殼量子點(diǎn)及其制備方法、量子點(diǎn)光電器件

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201910682166.9 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN112300777B 公開（公告）日 2022-01-18
申請(qǐng)公布號(hào) CN112300777B 申請(qǐng)公布日 2022-01-18
分類號(hào) C09K11/02（2006.01）I;C09K11/88（2006.01）I;B82Y20/00（2011.01）I;B82Y30/00（2011.01）I;H01L51/50（2006.01）I;CN 110055073 A,2019.07.26;WO 2008028054 A1,2008.03.06 Bear Joseph C.等.Copper-Doped CdSe/ZnS Quantum Dots: Controllable Photoactivated Copper（I） Cation Storage and Release Vectors for Catalysis.《ANGEWANDTE CHEMIE-INTERNATIONAL EDITION》.2014,;Chen Hsiang-Yun等.Doping Location-Dependent Energy Transfer Dynamics in Mn-Doped CdS/ZnS Nanocrystals.《ACS NANO》.2012,;Sabir Nadeem等.Optical Study of the Transition Metals （M=Cr, Mn, Co, Ni, Cu） Doped M-CdS/ZnS Core/Shell Nanoparticles.《COLLOIDAL NANOPARTICLES FOR BIOMEDICAL APPLICATIONS XIV》.2019,第10892卷 分類 染料；涂料；拋光劑；天然樹脂；黏合劑；其他類目不包含的組合物；其他類目不包含的材料的應(yīng)用;
發(fā)明人 周健海;余世榮 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 納晶科技股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 廣州市越秀區(qū)哲力專利商標(biāo)事務(wù)所（普通合伙） 代理人 李悅
地址 310052浙江省杭州市濱江區(qū)長(zhǎng)河街道秋溢路428號(hào)3幢3樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種核殼量子點(diǎn)及其制備方法、量子點(diǎn)光電器件。其中，核殼量子點(diǎn)的制備方法包括以下步驟：提供包含第一陽(yáng)離子的初始量子點(diǎn)；將初始量子點(diǎn)與第二陽(yáng)離子的前體以及第三陽(yáng)離子的前體混合形成混合體系，其中第二陽(yáng)離子的前體用于形成殼層，第三陽(yáng)離子用于促進(jìn)第一陽(yáng)離子向外擴(kuò)散；向混合體系中加入用于形成殼層的陰離子前體，陰離子前體與第二陽(yáng)離子的前體以及初始量子點(diǎn)中擴(kuò)散出來的第一陽(yáng)離子反應(yīng)形成合金殼層，制得核殼量子點(diǎn)。本發(fā)明獲得的核殼量子點(diǎn)中，殼層的合金化程度高；更有利于獲得短波長(zhǎng)發(fā)射的核殼量子點(diǎn)；核殼量子點(diǎn)的合成方法簡(jiǎn)單，重復(fù)性好，反應(yīng)時(shí)間短。