納米晶的制備方法、納米晶及含其的光學膜、發(fā)光器件

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110130341.0 申請日 -
公開（公告）號 CN113969164A 公開（公告）日 2022-01-25
申請公布號 CN113969164A 申請公布日 2022-01-25
分類號 C09K11/02（2006.01）I;C09K11/62（2006.01）I;C09K11/56（2006.01）I;C09K11/70（2006.01）I;C09K11/88（2006.01）I;B82Y30/00（2011.01）I;B82Y40/00（2011.01）I;H01L33/50（2010.01）I 分類 染料；涂料；拋光劑；天然樹脂；黏合劑；其他類目不包含的組合物；其他類目不包含的材料的應用;
發(fā)明人 胡保忠;高遠;李光旭;趙滔 申請（專利權）人 納晶科技股份有限公司
代理機構 - 代理人 -
地址 310052浙江省杭州市濱江區(qū)長河街道秋溢路428號3幢3樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請?zhí)峁┝艘环N納米晶、制備方法及組合物、光學膜、發(fā)光器件。該納米晶包括初始納米晶和包覆于初始納米晶外的犧牲殼層，犧牲殼層包括以初始納米晶為中心向外依次包覆的n個犧牲子層，n個犧牲子層的材料相同或不同；如果對所述納米晶進行刻蝕，至少部分犧牲殼層在刻蝕過程中被逐漸消耗，在刻蝕過程中測定m次的熒光發(fā)射波長、半峰寬、量子產率和在一定波長激發(fā)光激發(fā)下的吸光度，則0≦MAXPL?MINPL≦10nm，0≦MAXFWHM?MINFWHM≦10nm，80％≦MINQY/MAXQY≦100％，80％≦MINAB/MAXAB≦100％，其中，n、m各自為大于等于1的整數(shù)。