摻雜量子點(diǎn)及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201811128679.7 申請日 -
公開（公告）號 CN109337689B 公開（公告）日 2022-03-22
申請公布號 CN109337689B 申請公布日 2022-03-22
分類號 C09K11/88（2006.01）I;C09K11/02（2006.01）I;B82Y20/00（2011.01）I;B82Y30/00（2011.01）I 分類 染料；涂料；拋光劑；天然樹脂；黏合劑；其他類目不包含的組合物；其他類目不包含的材料的應(yīng)用;
發(fā)明人 周健海;余世榮;邵蕾 申請（專利權(quán)）人 納晶科技股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 廣州市越秀區(qū)哲力專利商標(biāo)事務(wù)所（普通合伙） 代理人 胡擁軍;糜婧
地址 310052浙江省杭州市濱江區(qū)秋溢路428號3幢2層?xùn)|
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了摻雜量子點(diǎn)及其制備方法，該方法適于將摻雜離子引入到第一量子點(diǎn)晶格內(nèi)，形成摻雜量子點(diǎn)，以改善第一量子點(diǎn)的物理性能。摻雜量子點(diǎn)的制備方法包括以下步驟：S11.將用于合成第一量子點(diǎn)的陽離子前體與溶劑混合，得到第一溶液；S12.將用于合成第一量子點(diǎn)的陰離子前體加入上述第一溶液，陰離子前體與陽離子前體反應(yīng)一段時間后得到第二溶液；S13.向上述第二溶液中加入摻雜離子的前體，量子點(diǎn)繼續(xù)生長，得到摻雜量子點(diǎn)。本發(fā)明的上述量子點(diǎn)摻雜方法摻雜離子濃度可調(diào)范圍大，既適用于量子點(diǎn)核的摻雜，同樣也適用于核殼量子點(diǎn)中殼層的摻雜。采用本發(fā)明的方法制備的摻雜量子點(diǎn)，其熒光半峰寬窄，尺寸形貌單分散性好。