量子點(diǎn)的制備方法、量子點(diǎn)及含其的組合物、發(fā)光器件
基本信息
申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202010714482.2 | 申請(qǐng)日 | - |
公開(kāi)(公告)號(hào) | CN113969161A | 公開(kāi)(公告)日 | 2022-01-25 |
申請(qǐng)公布號(hào) | CN113969161A | 申請(qǐng)公布日 | 2022-01-25 |
分類(lèi)號(hào) | C09K11/02(2006.01)I;C09K11/70(2006.01)I;C09K11/74(2006.01)I;C09K11/88(2006.01)I;H01L33/50(2010.01)I | 分類(lèi) | 染料;涂料;拋光劑;天然樹(shù)脂;黏合劑;其他類(lèi)目不包含的組合物;其他類(lèi)目不包含的材料的應(yīng)用; |
發(fā)明人 | 喬培勝;余文華;袁秀玲;謝陽(yáng)臘;汪均 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人 | 納晶科技股份有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | - | 代理人 | - |
地址 | 310052浙江省杭州市濱江區(qū)長(zhǎng)河街道秋溢路428號(hào)3幢3樓 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N量子點(diǎn)的制備方法、量子點(diǎn)及組合物、發(fā)光器件,該量子點(diǎn)包括III?V族核,和直接設(shè)置在III?V族核的至少一部分的表面上的II?III?V?VI?VI族殼層,II?III?V?VI?VI族殼層中包含硒元素和硫元素。通過(guò)在III?V族量子點(diǎn)核外包覆II?III?V?VI?VI族殼層,解決了現(xiàn)有技術(shù)中III?V族量子點(diǎn)熒光發(fā)射半峰寬大、熒光效率低、穩(wěn)定性差的問(wèn)題,制備得到的核殼量子點(diǎn)的熒光發(fā)射半峰寬窄、熒光效率高,且在量子點(diǎn)膜中具有良好的穩(wěn)定性。 |
