一種用掩模板技術(shù)制備硅基OLED微型顯示器陽極的方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110131114.X 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN112670433A 公開（公告）日 2021-04-16
申請(qǐng)公布號(hào) CN112670433A 申請(qǐng)公布日 2021-04-16
分類號(hào) H01L51/56;H01L51/52;H01L27/32 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 顏艷霜;吳康敬;孫揚(yáng);李德權(quán);楊震元 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 浙江宏禧科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 浙江杭州金通專利事務(wù)所有限公司 代理人 金麗英
地址 322000 浙江省金華市義烏市蘇溪鎮(zhèn)蘇福路219號(hào)4號(hào)樓202
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開一種用掩模板技術(shù)制備硅基OLED微型顯示器陽極的方法，采用NDL技術(shù)在12英寸的石英玻璃晶圓上打孔，通孔尺寸為3微米×9微米，厚度40?50微米，將通孔玻璃晶圓黏附到12英寸的硅晶圓上作為掩模，磁控濺射金屬后獲得精確圖形的陽極像素點(diǎn)。該技術(shù)使用通孔的透明玻璃掩模板代替?zhèn)鹘y(tǒng)的光刻掩模板制備陽極像素點(diǎn)，有助于掩模板與硅片晶圓的對(duì)準(zhǔn)且玻璃的刻蝕可控性較好，同時(shí)在陽極的制備過程中規(guī)避了液體環(huán)境的引入，避免陽極金屬表面腐蝕影響金屬功函數(shù)和空穴注入能力，增加陽極金屬的選擇性。