一種濕法刻蝕制備硅基OLED陽(yáng)極的方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | 202011478747X | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN112289965A | 公開(kāi)（公告）日 | 2021-01-29 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN112289965A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-01-29 |
| 分類號(hào) | H01L51/56(2006.01)I; | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 楊震元;孫揚(yáng);吳康敬 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 浙江宏禧科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 浙江杭州金通專利事務(wù)所有限公司 | 代理人 | 金麗英 |
| 地址 | 322000浙江省金華市義烏市蘇溪鎮(zhèn)蘇福路219號(hào)4號(hào)樓202 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開(kāi)一種濕法刻蝕工藝制備硅基OLED陽(yáng)極的方法，包括以下步驟：用去離子水清洗硅基板，在硅基板上蒸鍍陽(yáng)極層，在陽(yáng)極層上形成抗反射涂層和光刻膠層，用光刻技術(shù)制備出圖形像素，采用腐蝕溶液腐蝕底部不被抗反射涂層和光刻膠層保護(hù)的陽(yáng)極層，用N?甲基吡咯烷酮溶液去除抗反射涂層和光刻膠層，形成陽(yáng)極像素點(diǎn)，對(duì)硅基板進(jìn)行清洗、烘干。本發(fā)明針對(duì)以硅片為襯底的微型OLED顯示器，使用濕法刻蝕工藝代替?zhèn)鹘y(tǒng)濕法剝離方法制備陽(yáng)極像素點(diǎn)，使子像素間距更小，像素密度高，從而在0.6英寸的微型OLED顯示器上實(shí)現(xiàn)分辨率為1280*1024的微型全彩有機(jī)顯示器，相比于干法刻蝕工藝，濕法刻蝕工藝的成本更低，易實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。?? |
