一種干法刻蝕制備硅基OLED陽極及OLED器件的方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011274620.6 申請日 -
公開（公告）號 CN112103402A 公開（公告）日 2020-12-18
申請公布號 CN112103402A 申請公布日 2020-12-18
分類號 H01L51/52;H01L51/56 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 吳康敬;孫揚;楊震元;李德權;顏艷霜 申請（專利權）人 浙江宏禧科技有限公司
代理機構 浙江杭州金通專利事務所有限公司 代理人 金麗英
地址 322000 浙江省金華市義烏市蘇溪鎮(zhèn)蘇福路219號4號樓202
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開一種OLED陽極的制備方法，先用去離子水清洗硅基板，再在硅基板上形成陽極層，陽極層包括鈦膜層、鎳膜層、鋁膜層、鉑膜層、氮化鈦膜層、氮化鋁膜層中的至少一種導電膜層，然后在陽極層上均勻旋涂0.8微米的堿溶性抗發(fā)射涂層和1.5微米的正性光刻膠層，然后對光刻膠層和抗反射涂層進行光刻、顯影獲得像素點的圖形，然后采用刻蝕性氣體轟擊底部不被光刻膠層和抗發(fā)射涂層保護的陽極層，再用顯影液去除光刻膠層和抗反射涂層，形成陽極像素點最后對硅基板進行清洗、烘干。采用以上方法制備OLED器件，具有像素點圖形精確化，使像素點間距更小，像素密度高等優(yōu)點。