一種硅太陽能電池及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201810421099.0 申請日 -
公開（公告）號 CN108461580B 公開（公告）日 2019-08-23
申請公布號 CN108461580B 申請公布日 2019-08-23
分類號 H01L31/18 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 張軍 申請（專利權(quán)）人 南通北外灘建設(shè)工程有限公司
代理機構(gòu) - 代理人 -
地址 226100 江蘇省南通市海門經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)廣州路999號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種硅太陽能電池及其制備方法，該方法包括以下步驟：在N型單晶硅片的上表面制備硅納米線陣列、第一界面修飾層的制備、第二界面修飾層的制備、第一PEDOT:PSS層的制備、第二PEDOT:PSS層的制備、在所述第二PEDOT:PSS層的整個表面熱蒸鍍金屬銅、正面柵電極的制備以及背面電極的制備。通過改善硅基核殼結(jié)構(gòu)光伏電池的結(jié)構(gòu)以及制備工藝，有效提高了本發(fā)明的硅太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換效率。