一種MEMS結(jié)構(gòu)的制造方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201910415710.3 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN110113702B 公開（公告）日 2021-10-01
申請(qǐng)公布號(hào) CN110113702B 申請(qǐng)公布日 2021-10-01
分類號(hào) H04R31/00 分類 電通信技術(shù);
發(fā)明人 劉端 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 安徽奧飛聲學(xué)科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 230092 安徽省合肥市高新區(qū)習(xí)友路3333號(hào)中國(guó)（合肥）國(guó)際智能語音產(chǎn)業(yè)園研發(fā)中心樓611-91室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N制造MEMS(微機(jī)電系統(tǒng))結(jié)構(gòu)的方法，包括：在襯底的正面上沉積形成壓電復(fù)合振動(dòng)層；蝕刻所述壓電復(fù)合振動(dòng)層以在所述壓電復(fù)合振動(dòng)層的整個(gè)表面上形成貫穿所述壓電復(fù)合振動(dòng)層的多個(gè)通孔；在所述壓電復(fù)合振動(dòng)層的外圍，在露出的所述襯底上蝕刻形成第一凹槽；蝕刻所述襯底的背面以形成鄰近所述第一凹槽的空腔，所述第一凹槽設(shè)置在所述空腔的外圍，所述壓電復(fù)合振動(dòng)層形成在所述空腔正上方，其中，位于所述第一凹槽與所述空腔之間的部分的所述襯底支撐所述壓電復(fù)合振動(dòng)層。該MEMS結(jié)構(gòu)提高了壓電復(fù)合振動(dòng)層在聲壓作用下的位移和形變，降低了殘余應(yīng)力，進(jìn)而提高了MEMS結(jié)構(gòu)的靈敏度。