一種MEMS結(jié)構(gòu)的制備方法
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN201910415705.2 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN110113699B | 公開(公告)日 | 2021-06-29 |
申請公布號 | CN110113699B | 申請公布日 | 2021-06-29 |
分類號 | H04R19/04(2006.01)I | 分類 | 電通信技術(shù); |
發(fā)明人 | 劉端 | 申請(專利權(quán))人 | 安徽奧飛聲學(xué)科技有限公司 |
代理機構(gòu) | - | 代理人 | - |
地址 | 230092安徽省合肥市高新區(qū)習(xí)友路3333號中國(合肥)國際智能語音產(chǎn)業(yè)園研發(fā)中心樓611-91室 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本申請公開了一種制造MEMS(微機電系統(tǒng))結(jié)構(gòu)的方法,包括:在襯底的正面上沉積形成壓電復(fù)合振動層;在壓電復(fù)合振動層的中間區(qū)域沉積形成質(zhì)量塊;蝕刻壓電復(fù)合振動層的外圍區(qū)域以形成貫穿壓電復(fù)合振動層的多個第一通孔;在壓電復(fù)合振動層的外部,在露出的襯底上蝕刻形成第一凹槽;蝕刻襯底的背面以形成鄰近第一凹槽的空腔,第一凹槽設(shè)置在空腔的外圍,壓電復(fù)合振動層形成在空腔正上方,其中,位于第一凹槽與空腔之間的部分的襯底支撐壓電復(fù)合振動層。該方法使得位于第一凹槽和空腔之間的部分襯底材料支撐壓電復(fù)合振動層,提高了壓電復(fù)合振動層在聲壓作用下的位移和形變,降低了殘余應(yīng)力,進而提高了MEMS結(jié)構(gòu)的靈敏度。 |
