具有調(diào)制摻雜電子阻擋層結(jié)構(gòu)的深紫外LED及制備方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202111463623.9 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN114203872A | 公開（公告）日 | 2022-03-18 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN114203872A | 申請(qǐng)公布日 | 2022-03-18 |
| 分類號(hào) | H01L33/14（2010.01）I;H01L33/06（2010.01）I;H01L33/32（2010.01）I;H01L33/00（2010.01）I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 張駿;陳云;張毅;岳金順 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 蘇州紫燦科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 武漢智嘉聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 姜婷 |
| 地址 | 215000江蘇省蘇州市吳江區(qū)黎里鎮(zhèn)城司路158號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開了一種具有調(diào)制摻雜電子阻擋層結(jié)構(gòu)的深紫外LED及其制備方法，該具有調(diào)制摻雜電子阻擋層結(jié)構(gòu)的深紫外LED包括依次層疊設(shè)置的藍(lán)寶石襯底、AlN本征層、n型AlGaN電子注入層、量子阱有源層、調(diào)制摻雜電子阻擋層和p型AlGaN空穴注入層，調(diào)制摻雜電子阻擋層包括交替排布的若干第一阻擋層和第二阻擋層；第一阻擋層和第二阻擋層均含Mg摻雜，且第一阻擋層的Mg摻雜濃度大于第二阻擋層的Mg摻雜濃度；或者第一阻擋層和第二阻擋層均不含Mg摻雜，在第一阻擋層與第二阻擋層的界面處進(jìn)行Mg摻雜。本發(fā)明通過對(duì)電子阻擋層進(jìn)行調(diào)制摻雜，提高了Mg摻雜效率，有效防止Mg向有源區(qū)擴(kuò)散，提高了深紫外LED的發(fā)光效率。 |
