一種具有自組裝模板的AlGaN復(fù)合薄膜及其制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202010830369.0 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN112086543B 公開（公告）日 2021-11-26
申請(qǐng)公布號(hào) CN112086543B 申請(qǐng)公布日 2021-11-26
分類號(hào) H01L33/12;H01L33/32;H01L33/00 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 張駿;岳金順;梁仁瓅 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 蘇州紫燦科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 武漢智嘉聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 易賢衛(wèi)
地址 215000 江蘇省蘇州市吳江區(qū)黎里鎮(zhèn)城司路158號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種具有自組裝模板的AlGaN復(fù)合薄膜及其制備方法，所述具有自組裝模板的AlGaN薄膜由下至上依次設(shè)置有藍(lán)寶石襯底、AlN低溫緩沖層、高溫AlN層、AlGaN自組裝模板層和高溫AlGaN薄膜層；所述AlGaN自組裝模板層由緊貼設(shè)置的AlInGaN薄膜層和AlGaN低溫層升溫退火至In升華后制得，且升溫退火前所述AlInGaN薄膜層位于靠近所述高溫AlN層一側(cè)，所述AlGaN低溫層位于靠近所述高溫AlGaN薄膜層一側(cè)。本發(fā)明通過AlInGaN薄膜層和AlGaN低溫層經(jīng)升溫退火至In升華后，形成具有圖形化的AlGaN自組裝模板層，該AlGaN自組裝模板層可以有效過濾來源于高溫AlN層的穿透位錯(cuò)，并釋放生長(zhǎng)過程中積累的熱應(yīng)力，從而顯著提高AlGaN復(fù)合薄膜的質(zhì)量并防止薄膜開裂。