一種降低工作電壓的深紫外LED芯片及其制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202111518389.5 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN114203869A 公開（公告）日 2022-03-18
申請(qǐng)公布號(hào) CN114203869A 申請(qǐng)公布日 2022-03-18
分類號(hào) H01L33/06（2010.01）I;H01L33/10（2010.01）I;H01L33/24（2010.01）I;H01L33/32（2010.01）I;H01L33/36（2010.01）I;H01L33/00（2010.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 張會(huì)雪;羅洪波;張駿;梁仁瓅;岳金順 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 蘇州紫燦科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 武漢智嘉聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 張璐
地址 215000江蘇省蘇州市吳江區(qū)黎里鎮(zhèn)城司路158號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種降低工作電壓的深紫外LED芯片及其制備方法，該降低工作電壓的深紫外LED芯片，包括依次層疊設(shè)置的襯底、Al本征層、n型AlGaN層、量子阱有源層、p型AlGaN層、p型GaN接觸層、n型反射型外延層和n電極金屬層；n型AlGaN層經(jīng)刻蝕后形成階梯狀結(jié)構(gòu)，刻蝕后n型AlGaN層上依次層疊設(shè)置n型反射型外延層和n電極金屬層；刻蝕后n型AlGaN層的厚度為n型AlGaN層初始厚度的0.2～0.8倍，n型反射型外延層為n型摻雜的GaN、InGaN、InAlGaN、AlGaN中的任意一種材料。本發(fā)明通過對(duì)n型AlGaN層刻蝕減薄，并在n型AlGaN層減薄處與n電極金屬層之間引入n型反射型外延層，使深紫外LED芯片的工作電壓降低，從而使深紫外LED芯片的光電轉(zhuǎn)換效率顯著提升。