一種具有原位V型納米孔結(jié)構(gòu)的深紫外LED及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011057376.8 申請日 -
公開（公告）號 CN112242466B 公開（公告）日 2022-01-28
申請公布號 CN112242466B 申請公布日 2022-01-28
分類號 H01L33/20（2010.01）I;H01L33/00（2010.01）I;B82Y40/00（2011.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 張駿;岳金順;梁仁瓅 申請（專利權(quán)）人 蘇州紫燦科技有限公司
代理機構(gòu) 武漢智嘉聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 易賢衛(wèi)
地址 215000江蘇省蘇州市吳江區(qū)黎里鎮(zhèn)城司路158號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種具有原位V型納米孔結(jié)構(gòu)的深紫外LED及其制備方法，該具有原位V型納米孔結(jié)構(gòu)的深紫外LED由下至上依次設(shè)置有藍寶石襯底、AlN本征層、n型AlGaN電子注入層、電流擴展層、V型納米孔層、量子阱有源層、電子阻擋層、p型AlGaN注入層和p型GaN接觸層；所述V型納米孔層為具有若干V型納米孔的AlGaN膜層，所述V型納米孔為錐狀結(jié)構(gòu)，并設(shè)置于所述V型納米孔層靠近所述量子阱有源層一側(cè)，所述V型納米孔的孔徑為5～200nm。本發(fā)明通過在量子阱有源區(qū)生長前，通過降低生長溫度的方式引入原位v型納米孔，使空穴更加容易進入量子阱有源層的前幾個阱之中，從而提高載流子注入效率，最終提高深紫外LED器件的發(fā)光效率。