一種具有組分漸變量子阱結(jié)構(gòu)的深紫外LED及制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202011196368.1 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN112382708B 公開（公告）日 2022-01-28
申請(qǐng)公布號(hào) CN112382708B 申請(qǐng)公布日 2022-01-28
分類號(hào) H01L33/06（2010.01）I;H01L33/32（2010.01）I;H01L33/00（2010.01）I;B82Y30/00（2011.01）I;B82Y40/00（2011.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 張駿;岳金順;梁仁瓅 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 蘇州紫燦科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 武漢智嘉聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 丁倩
地址 215000江蘇省蘇州市吳江區(qū)黎里鎮(zhèn)城司路158號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種具有組分漸變量子阱結(jié)構(gòu)的深紫外LED及其制備方法，該具有組分漸變量子阱結(jié)構(gòu)的深紫外LED由下至上依次包括藍(lán)寶石襯底、AlN本征層、n型AlGaN電子注入層、組分漸變的量子阱有源層、電子阻擋層、p型AlGaN空穴注入層和p型GaN接觸層；組分漸變的量子阱有源層包括依次交替排布的若干勢(shì)阱層和若干勢(shì)壘層，且沿n型AlGaN電子注入層到電子阻擋層的方向上，第m+1層勢(shì)壘層的Al組分含量百分?jǐn)?shù)大于第m層勢(shì)壘層的Al組分含量百分?jǐn)?shù)。本發(fā)明在生長(zhǎng)量子阱有源層的過程中，使若干勢(shì)壘層呈現(xiàn)出Al組分遞增的趨勢(shì)，從而使量子阱有源層的等效勢(shì)壘高度提高，促進(jìn)電子和空穴在量子阱有源層的復(fù)合，提高了深紫外LED的發(fā)光效率。