一種無裂紋AlN外延膜及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111129485.0 申請日 -
公開（公告）號 CN113897676A 公開（公告）日 2022-01-07
申請公布號 CN113897676A 申請公布日 2022-01-07
分類號 C30B29/40（2006.01）I;C30B25/04（2006.01）I;C30B25/06（2006.01）I;C30B25/18（2006.01）I;C30B28/14（2006.01）I;H01L33/00（2010.01）I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 張駿;張毅;陳云;岳金順 申請（專利權(quán)）人 蘇州紫燦科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 武漢智嘉聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 柏琳容
地址 215000江蘇省蘇州市吳江區(qū)黎里鎮(zhèn)城司路158號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種無裂紋AlN外延膜及其制備方法，該方法的步驟包括：在藍(lán)寶石襯底上外延生長AlN緩沖層；在AlN緩沖層上外延生長AlN一次外延層；對AlN一次外延層遠(yuǎn)離藍(lán)寶石襯底一側(cè)進(jìn)行圖形化處理；在AlN一次外延層進(jìn)行圖形化處理的一側(cè)外延生長高溫AlN層，得到無裂紋AlN外延膜；AlN一次外延層由第一AlN層和第二AlN層交替生長形成，第一AlN層的生長溫度大于第二AlN層的生長溫度，第一AlN層的V/III比小于第二AlN層的V/III比。本發(fā)明通過在AlN緩沖層和高溫AlN層之間引入AlN一次外延層，并對AlN一次外延層進(jìn)行圖形化處理，不僅使高溫AlN層的均勻性顯著提高，還能夠很好地釋放生長過程中積累的熱應(yīng)力，防止AlN薄膜開裂。