一種雙層光子晶體結(jié)構(gòu)的倒裝深紫外LED及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010216331.4 申請日 -
公開（公告）號 CN111312877B 公開（公告）日 2022-02-22
申請公布號 CN111312877B 申請公布日 2022-02-22
分類號 H01L33/46（2010.01）I;H01L33/00（2010.01）I;H01L33/48（2010.01）I;B82Y30/00（2011.01）I;B82Y40/00（2011.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 陳謙;王昊;戴江南;陳長清 申請（專利權(quán)）人 蘇州紫燦科技有限公司
代理機構(gòu) 武漢智嘉聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 趙澤夏
地址 215000江蘇省蘇州市吳江區(qū)黎里鎮(zhèn)城司路158號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種雙層光子晶體結(jié)構(gòu)的倒裝深紫外LED及其制備方法，該雙層光子晶體結(jié)構(gòu)的倒裝深紫外LED包括支架、深紫外LED芯片和透鏡，其中：所述透鏡設(shè)置于所述支架頂部，且所述深紫外LED芯片位于所述支架與透鏡所圍成的封閉空間中；所述深紫外LED芯片設(shè)置于所述支架底部，所述深紫外LED芯片靠近所述支架底部的一側(cè)表面設(shè)置有第一納米陣列結(jié)構(gòu)，所述深紫外LED芯片遠離所述支架底部的一側(cè)表面設(shè)置有第二納米陣列結(jié)構(gòu)。本發(fā)明通過在深紫外LED的P型GaN接觸層上設(shè)置第一納米陣列結(jié)構(gòu)，同時在藍寶石襯底上設(shè)置第二納米陣列結(jié)構(gòu)，打破了現(xiàn)有的光提取效率上限，使深紫外LED的出光功率提升了一倍以上。