一種具有隧穿結(jié)構(gòu)的深紫外LED及其制備方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202111076064.6 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN113809211A | 公開(kāi)（公告）日 | 2021-12-17 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN113809211A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-12-17 |
| 分類(lèi)號(hào) | H01L33/12（2010.01）I;H01L33/06（2010.01）I;H01L33/14（2010.01）I;H01L33/32（2010.01）I;H01L33/00（2010.01）I | 分類(lèi) | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 張毅;張駿;岳金順 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 蘇州紫燦科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 武漢智嘉聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 張璐 |
| 地址 | 215000江蘇省蘇州市吳江區(qū)黎里鎮(zhèn)城司路158號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開(kāi)了一種具有隧穿結(jié)構(gòu)的深紫外LED及其制備方法，該具有隧穿結(jié)構(gòu)的深紫外LED由下至上依次設(shè)置有藍(lán)寶石襯底、AlN緩沖層、AlN本征層、n型AlGaN電子注入層、量子阱有源層、p型AlGaN電子阻擋層、GaN隧穿層以及n型AlGaN接觸層，p型AlGaN電子阻擋層、GaN隧穿層以及n型AlGaN接觸層構(gòu)成復(fù)合隧穿結(jié)構(gòu)。本發(fā)明提供了一種具有隧穿結(jié)構(gòu)的深紫外LED及其制備方法，通過(guò)P?AlGaN/i?GaN/n?AlGaN復(fù)合隧穿結(jié)構(gòu)來(lái)提高注入到量子阱中的載流子濃度，進(jìn)而提高深紫外LED的量子效率。 |
