一種具有空穴蓄積結構的深紫外LED及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011052851.2 申請日 -
公開（公告）號 CN112242464B 公開（公告）日 2022-01-28
申請公布號 CN112242464B 申請公布日 2022-01-28
分類號 H01L33/14（2010.01）I;H01L33/00（2010.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 張駿;岳金順;梁仁瓅 申請（專利權）人 蘇州紫燦科技有限公司
代理機構 武漢智嘉聯(lián)合知識產權代理事務所（普通合伙） 代理人 易賢衛(wèi)
地址 215000江蘇省蘇州市吳江區(qū)黎里鎮(zhèn)城司路158號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種具有空穴蓄積結構的深紫外LED及其制備方法，所述具有空穴蓄積結構的深紫外LED由下至上依次設置有藍寶石襯底、AlN本征層、n型AlGaN電子注入層、電流擴展層、量子阱有源層、空穴蓄積層、電子阻擋層、p型AlGaN空穴注入層和p型GaN接觸層；所述空穴蓄積層為Mg摻雜的單層AlGaN結構，生長溫度為600～1000℃。本發(fā)明通過在量子阱有源層與電子阻擋層之間增加單層結構的空穴蓄積層，在提高電子阻擋層等效勢壘高度的同時，提高注入到量子阱有源區(qū)中的空穴濃度，最終提高深紫外LED器件的發(fā)光效率。