具有n型低阻歐姆接觸結(jié)構的深紫外芯片及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111517390.6 申請日 -
公開（公告）號 CN114203868A 公開（公告）日 2022-03-18
申請公布號 CN114203868A 申請公布日 2022-03-18
分類號 H01L33/06（2010.01）I;H01L33/14（2010.01）I;H01L33/24（2010.01）I;H01L33/32（2010.01）I;H01L33/36（2010.01）I;H01L33/00（2010.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 張駿;張毅;岳金順 申請（專利權）人 蘇州紫燦科技有限公司
代理機構 武漢智嘉聯(lián)合知識產(chǎn)權代理事務所（普通合伙） 代理人 張璐
地址 215000江蘇省蘇州市吳江區(qū)黎里鎮(zhèn)城司路158號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種具有n型低阻歐姆接觸結(jié)構的深紫外芯片及其制備方法，該深紫外芯片包括依次層疊設置的藍寶石襯底、AlN本征層、n型AlGaN電子注入層、n型AlGaN輔助擴展層、n型AlGaN接觸層、量子阱有源層、電子阻擋層、p型AlGaN空穴注入層、p型GaN接觸層和p電極，還包括n電極；沿p型GaN接觸層一側(cè)刻蝕至n型AlGaN接觸層，n型AlGaN接觸層形成階梯狀結(jié)構，n電極設置于n型AlGaN接觸層的刻蝕區(qū)域處；沿n型AlGaN電子注入層到n型AlGaN接觸層方向，n型AlGaN輔助擴展層的摻雜濃度線性遞增，且Al組分百分數(shù)線性遞減。本發(fā)明通過引入摻雜濃度和Al組分百分數(shù)均漸變的n型AlGaN輔助擴展層，使深紫外LED芯片的n極接觸電壓降低，從而顯著提升深紫外LED芯片的光電轉(zhuǎn)換效率。