IGBT器件

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010083995.8 申請日 -
公開（公告）號 CN113257905A 公開（公告）日 2021-08-13
申請公布號 CN113257905A 申請公布日 2021-08-13
分類號 H01L29/739（2006.01）I;H01L29/423（2006.01）I;H01L27/082（2006.01）I;H01L27/02（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 周翔;曾大杰;肖勝安 申請（專利權(quán)）人 南通尚陽通集成電路有限公司
代理機構(gòu) 上海浦一知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 郭四華
地址 226000江蘇省南通市崇川區(qū)崇川路79號國際青創(chuàng)園1號樓18層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種IGBT器件，由多個形成原胞并聯(lián)而成，各原胞都形成在晶圓上的有源區(qū)中，各原胞的柵極結(jié)構(gòu)采用溝槽柵，溝槽柵包括形成于柵極溝槽內(nèi)側(cè)表面的柵介質(zhì)層和填充于柵極溝槽中的多晶硅柵；多晶硅柵完全填充柵極溝槽時會對晶圓產(chǎn)生對應(yīng)的第一應(yīng)力；在俯視面上，有源區(qū)分成兩個以上的區(qū)域塊，各區(qū)域塊中的柵極溝槽呈條形結(jié)構(gòu)且平行排列，相鄰兩個區(qū)域塊中的柵極溝槽的條形結(jié)構(gòu)不平行而具有夾角，使相鄰兩個區(qū)域塊中的多晶硅柵對晶圓的第一應(yīng)力的方向不同而使晶圓所受到的各多晶硅柵產(chǎn)生的合應(yīng)力減少或消失。本發(fā)明能提高同一片晶圓上IGBT器件參數(shù)的均一性，并從而提高產(chǎn)品良率。