整合肖特基功率MOSFET及其制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201911098280.3 申請日 -
公開（公告）號 CN112864245A 公開（公告）日 2021-05-28
申請公布號 CN112864245A 申請公布日 2021-05-28
分類號 H01L29/10(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 劉堅 申請（專利權(quán)）人 南通尚陽通集成電路有限公司
代理機構(gòu) 上海浦一知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 郭四華
地址 226000江蘇省南通市崇川區(qū)崇川路79號國際青創(chuàng)園1號樓18層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種整合肖特基功率MOSFET，各MOSFET器件單元結(jié)構(gòu)的溝槽中形成有屏蔽導(dǎo)電材料層和柵極導(dǎo)電材料層；肖特基二極管的形成區(qū)域整合在對應(yīng)的兩個溝槽之間；在各MOSFET器件單元結(jié)構(gòu)的形成區(qū)域中，溝槽之間的第一外延層表面形成有溝道區(qū)和源區(qū)；在肖特基二極管的形成區(qū)域中，第一外延層的表面未形成溝道區(qū)和源區(qū)，第一外延層頂部直接通過接觸孔連接到源極且接觸孔和第一外延層相接觸形成肖特基二極管。本發(fā)明還公開了一種整合肖特基功率MOSFET的制造方法。本發(fā)明能大幅度降低漂移區(qū)的導(dǎo)通電阻的同時，縮短器件的反向恢復(fù)時間，降低正向?qū)▔航担瑫r改善器件的導(dǎo)通和開關(guān)損耗，大幅度提高器件的效率。??