電荷平衡器件及其制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201911280574.8 申請日 -
公開（公告）號 CN112993008A 公開（公告）日 2021-06-18
申請公布號 CN112993008A 申請公布日 2021-06-18
分類號 H01L29/06;H01L29/872;H01L29/78;H01L21/04 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 周翔 申請（專利權(quán)）人 南通尚陽通集成電路有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海浦一知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 郭四華
地址 226000 江蘇省南通市崇川區(qū)崇川路79號國際青創(chuàng)園1號樓18層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種電荷平衡器件，漂移區(qū)中包括一層以上的電荷平衡層；漂移區(qū)的導(dǎo)電載流子類型為第一導(dǎo)電類型；電荷平衡層包括：第一導(dǎo)電類型的第一外延層以及在第一外延層的選定區(qū)域中形成的多個(gè)第二導(dǎo)電類型摻雜的第一摻雜區(qū)；各第一摻雜區(qū)的結(jié)深小于第一外延層的厚度，各第一摻雜區(qū)之間具有間距；電荷平衡層內(nèi)的第一外延層和各第一摻雜區(qū)電荷平衡，在漂移區(qū)承受反向偏壓時(shí)電荷平衡層內(nèi)的第一外延層和各第一摻雜區(qū)互相完全耗盡。本發(fā)明公開了一種電荷平衡器件的制造方法。本發(fā)明能降低器件的比導(dǎo)通電阻、開通能量損耗和開關(guān)動(dòng)態(tài)損耗，能很好的適用于例如碳化硅等雜質(zhì)不容易擴(kuò)散的半導(dǎo)體材料形成的器件，工藝更易實(shí)現(xiàn)且成本更低。