SGTMOSFET器件及制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201911190662.9 申請日 -
公開（公告）號 CN112864248A 公開（公告）日 2021-05-28
申請公布號 CN112864248A 申請公布日 2021-05-28
分類號 H01L29/423(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 曾大杰 申請（專利權(quán)）人 南通尚陽通集成電路有限公司
代理機構(gòu) 上海浦一知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 郭四華
地址 226000江蘇省南通市崇川區(qū)崇川路79號國際青創(chuàng)園1號樓18層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種SGTMOSFET器件，柵極結(jié)構(gòu)的底部氧化層和源多晶硅位于柵極溝槽的底部，底部氧化層的厚度滿足150V以上耐壓，柵極溝槽的頂部填充有采用CVD沉積形成的頂部氧化層，多晶硅柵形成在對頂部氧化層進(jìn)行刻蝕形成的頂部子溝槽中，頂部子溝槽的寬度滿足對多晶硅柵進(jìn)行填充的需要，且頂部子溝槽的兩側(cè)面的深度相同時多晶硅柵的兩側(cè)面的深度相同。本發(fā)明還提供一種SGTMOSFET器件的制造方法。本發(fā)明能在保證底部氧化層實現(xiàn)150V以上的耐壓條件下，采用左右結(jié)構(gòu)的多晶硅柵從而能使多晶硅柵的寬度能實現(xiàn)多晶硅柵的良好和低難度的填充，且能保證多晶硅柵的兩側(cè)面的深度一致，從而能在滿足溝道區(qū)的覆蓋長度的條件下避免增加輸入電容以及能增加器件的可靠性。??