IGBT器件

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202010066853.0 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN113140626A 公開(kāi)（公告）日 2021-07-20
申請(qǐng)公布號(hào) CN113140626A 申請(qǐng)公布日 2021-07-20
分類號(hào) H01L29/739（2006.01）I;H01L29/423（2006.01）I;H01L29/49（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 周翔;肖勝安;曾大杰 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 南通尚陽(yáng)通集成電路有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海浦一知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 郭四華
地址 226000江蘇省南通市崇川區(qū)崇川路79號(hào)國(guó)際青創(chuàng)園1號(hào)樓18層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了一種IGBT器件，由多個(gè)形成原胞并聯(lián)而成，各原胞都形成在同一晶圓上，各原胞的柵極結(jié)構(gòu)采用溝槽柵，溝槽柵包括形成于柵極溝槽內(nèi)側(cè)表面的柵介質(zhì)層和填充于柵極溝槽中的多晶硅柵；多晶硅柵完全填充柵極溝槽時(shí)會(huì)對(duì)晶圓產(chǎn)生第一應(yīng)力，在多晶硅柵的中間區(qū)域還包括在多晶硅柵完全填充柵極溝槽后刻蝕形成的第二溝槽，第二溝槽中填充有應(yīng)力釋放層，應(yīng)力釋放層用于釋放第一應(yīng)力，使同一晶圓上的各原胞的性能的均一性提高。本發(fā)明能提高同一片晶圓上IGBT器件參數(shù)的均一性，并從而提高產(chǎn)品良率。