封裝結構及其制作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110177847.7 申請日 -
公開（公告）號 CN112967933A 公開（公告）日 2021-06-15
申請公布號 CN112967933A 申請公布日 2021-06-15
分類號 H01L21/48（2006.01）I;H01L21/50（2006.01）I;H01L21/52（2006.01）I;H01L23/498（2006.01）I;H01L23/04（2006.01）I;H01L23/055（2006.01）I;H01L23/06（2006.01）I;H01L23/10（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 章軍 申請（專利權）人 池州昀冢電子科技有限公司
代理機構 蘇州領躍知識產權代理有限公司 代理人 王寧
地址 247000安徽省池州市皖江江南新興產業(yè)集中區(qū)樂山路以西漢江路以北地塊
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請公開了一種封裝結構及其制作方法，所述方法包括：提供一高溫共燒陶瓷基板，所述高溫共燒陶瓷基板包括多個疊放的基板單元，所述基板單元上設置有貫穿所述基板單元上下兩面的導電體，最上層以外的所述基板單元的上表面設置有層間導電層，最上層的所述基板單元的上表面不設置層間導電層；在最上層的所述基板單元的上表面制作第一導電層，在最下層的所述基板單元的下表面制作第二導電層；所述第一導電層和第二導電層分別采用以下任意一種方法得到：采用直接鍍銅方式得到；在所述基板單元的表面制作導電膜層，根據預設的電路圖形，對導電膜層進行激光刻蝕或采用CNC加工方式去除部分導電膜層。該方法可以提高多層陶瓷基板的線路精準度。