封裝結(jié)構(gòu)及其制作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110180084.1 申請日 -
公開（公告）號 CN112967934A 公開（公告）日 2021-06-15
申請公布號 CN112967934A 申請公布日 2021-06-15
分類號 H01L21/48（2006.01）I;H01L21/50（2006.01）I;H01L21/52（2006.01）I;H01L23/498（2006.01）I;H01L23/04（2006.01）I;H01L23/055（2006.01）I;H01L23/06（2006.01）I;H01L23/10（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 章軍 申請（專利權(quán)）人 池州昀冢電子科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 蘇州領(lǐng)躍知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 王寧
地址 247000安徽省池州市皖江江南新興產(chǎn)業(yè)集中區(qū)樂山路以西漢江路以北地塊
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請公開了一種封裝結(jié)構(gòu)及其制作方法，所述方法包括：提供一低溫共燒陶瓷基板，所述低溫共燒陶瓷基板包括多個(gè)疊放的基板單元，所述基板單元上設(shè)置有貫穿所述基板單元上下兩面的導(dǎo)電體，最上層以外的所述基板單元的上表面設(shè)置有層間導(dǎo)電層，最上層的所述基板單元的上表面不設(shè)置層間導(dǎo)電層；在最上層的所述基板單元的上表面制作第一導(dǎo)電層，在最下層的所述基板單元的下表面制作第二導(dǎo)電層；所述第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層分別采用以下任意一種方法得到：采用直接鍍銅方式得到；在所述基板單元的表面制作導(dǎo)電膜層，根據(jù)預(yù)設(shè)的電路圖形，對導(dǎo)電膜層進(jìn)行激光刻蝕或采用CNC加工方式去除部分導(dǎo)電膜層。該方法可以提高多層陶瓷基板的線路精準(zhǔn)度。