碳化硅二極管

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202122996650.4 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN216597592U 公開（公告）日 2022-05-24
申請(qǐng)公布號(hào) CN216597592U 申請(qǐng)公布日 2022-05-24
分類號(hào) H01L29/06（2006.01）I;H01L29/45（2006.01）I;H01L29/872（2006.01）I;H01L21/329（2006.01）I;H01L21/04（2006.01）I;H01L21/268（2006.01）I;H01L21/324（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 不公告發(fā)明人 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 北京綠能芯創(chuàng)電子科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海段和段律師事務(wù)所 代理人 -
地址 101300北京市順義區(qū)中關(guān)村科技園區(qū)順義園臨空二路1號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型提供了一種碳化硅二極管，包括碳化硅襯底、多層外延層、多個(gè)P型分壓環(huán)、多個(gè)P型擴(kuò)散區(qū)、肖特基勢(shì)壘層、歐姆接觸層、背面金屬電極、正面金屬電極、二氧化硅薄膜以及聚酰亞胺層；背面金屬電極和碳化硅襯底均設(shè)置在歐姆接觸層上；多層外延層設(shè)置在碳化硅襯底上；多層外延層的兩端均設(shè)置有二氧化硅薄膜；聚酰亞胺層設(shè)置在二氧化硅薄膜上；正面金屬電極的兩端均設(shè)置在二氧化硅薄膜上；肖特基勢(shì)壘層設(shè)置在多層外延層上。本實(shí)用新型提升了碳化硅器件的性能，使碳化硅器件的可靠性增強(qiáng)。