碳化硅溝槽MOSFET器件結(jié)構(gòu)及加工方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111307870.X 申請日 -
公開（公告）號 CN114005869A 公開（公告）日 2022-02-01
申請公布號 CN114005869A 申請公布日 2022-02-01
分類號 H01L29/06（2006.01）I;H01L29/423（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I;H01L21/28（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 不公告發(fā)明人 申請（專利權(quán)）人 北京綠能芯創(chuàng)電子科技有限公司
代理機構(gòu) 上海段和段律師事務(wù)所 代理人 李佳俊;郭國中
地址 101300北京市順義區(qū)中關(guān)村科技園區(qū)順義園臨空二路1號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種碳化硅溝槽MOSFET器件結(jié)構(gòu)及加工方法，包括：碳化硅N+襯底、碳化硅外延N區(qū)、P井區(qū)、P+區(qū)、N+區(qū)、氧化層、柵極、柵氧、正面金屬以及源極；碳化硅N+襯底上側(cè)生長碳化硅外延N區(qū)；碳化硅外延N區(qū)上側(cè)設(shè)置柵極和柵氧，柵極外側(cè)部分設(shè)置柵氧；柵極上側(cè)生長氧化層，柵極兩側(cè)設(shè)置P井區(qū)；P井區(qū)上側(cè)和側(cè)面設(shè)置N+區(qū)，P井區(qū)上設(shè)置P+區(qū)；P井區(qū)、P+區(qū)以及N+區(qū)上側(cè)設(shè)置源極；源極和柵極上側(cè)設(shè)置正面金屬。本設(shè)計通過源區(qū)設(shè)置溝槽結(jié)構(gòu)及多層外延工藝使器件在工作時柵電極下的峰值電場向源電極轉(zhuǎn)移，降低了柵電極下的的峰值電場，從而能夠有效降低了柵氧承受的更高電場強度，避免柵氧化層提前擊穿，使得器件獲得較好的擊穿電壓。