碳化硅二極管及其制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202111458178.7 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN114068679A 公開(kāi)（公告）日 2022-02-18
申請(qǐng)公布號(hào) CN114068679A 申請(qǐng)公布日 2022-02-18
分類(lèi)號(hào) H01L29/06（2006.01）I;H01L29/45（2006.01）I;H01L29/872（2006.01）I;H01L21/329（2006.01）I;H01L21/04（2006.01）I;H01L21/268（2006.01）I;H01L21/324（2006.01）I 分類(lèi) 基本電氣元件;
發(fā)明人 不公告發(fā)明人 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 北京綠能芯創(chuàng)電子科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海段和段律師事務(wù)所 代理人 施嘉薇
地址 101300北京市順義區(qū)中關(guān)村科技園區(qū)順義園臨空二路1號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種碳化硅二極管及其制備方法，包括碳化硅襯底、多層外延層、多個(gè)P型分壓環(huán)、多個(gè)P型擴(kuò)散區(qū)、肖特基勢(shì)壘層、歐姆接觸層、背面金屬電極、正面金屬電極、二氧化硅薄膜以及聚酰亞胺層；背面金屬電極和碳化硅襯底均設(shè)置在歐姆接觸層上；多層外延層設(shè)置在碳化硅襯底上；多層外延層的兩端均設(shè)置有二氧化硅薄膜；聚酰亞胺層設(shè)置在二氧化硅薄膜上；正面金屬電極的兩端均設(shè)置在二氧化硅薄膜上；肖特基勢(shì)壘層設(shè)置在多層外延層上。本發(fā)明通過(guò)激光設(shè)備生成特定能量的激光束，朝向注入?yún)㈦s區(qū)域，實(shí)現(xiàn)選擇性區(qū)域激活，獨(dú)立的激活深度控制，滿(mǎn)足注入?yún)^(qū)域中晶格修復(fù)及離子激活條件。