基于GaN器件并聯(lián)的驅(qū)動(dòng)電路、布局結(jié)構(gòu)及設(shè)備

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202220189459.0 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN216959656U 公開（公告）日 2022-07-12
申請(qǐng)公布號(hào) CN216959656U 申請(qǐng)公布日 2022-07-12
分類號(hào) H02M1/088（2006.01）I;H02M1/44（2007.01）I 分類 發(fā)電、變電或配電;
發(fā)明人 雷彥;陳普選 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 北京綠能芯創(chuàng)電子科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海段和段律師事務(wù)所 代理人 -
地址 101300北京市順義區(qū)中關(guān)村科技園區(qū)順義園臨空二路1號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型提供了一種基于GaN器件并聯(lián)的驅(qū)動(dòng)電路、布局結(jié)構(gòu)及設(shè)備，包括：柵極驅(qū)動(dòng)器，多個(gè)GaNMOS管、多個(gè)第一鐵氧體磁珠以及多個(gè)第二鐵氧體磁珠；每個(gè)所述GaNMOS管的漏極均連接VCC，每個(gè)所述GaNMOS管的源極均連接GND，每個(gè)所述GaNMOS管的柵極均串聯(lián)有一個(gè)第一鐵氧體磁珠，每個(gè)所述第一鐵氧體磁珠的另一端連接?xùn)艠O驅(qū)動(dòng)器的GDA端口，每個(gè)所述GaNMOS管的開爾文源極均串聯(lián)有一個(gè)第二鐵氧體磁珠，每個(gè)所述第二鐵氧體磁珠的另一端連接?xùn)艠O驅(qū)動(dòng)器的SSA端口。本實(shí)用新型用體積較小的鐵氧體磁珠作為高頻抑制器、器件PCB對(duì)稱布局、PCB功率回路和驅(qū)動(dòng)回路分離、單點(diǎn)接地應(yīng)用達(dá)到抑制柵極驅(qū)動(dòng)回路振蕩、抑制共模干擾的目的。