用于增強可靠性的JBS碳化硅二極管器件結(jié)構(gòu)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202122164536.5 申請日 -
公開（公告）號 CN216528860U 公開（公告）日 2022-05-13
申請公布號 CN216528860U 申請公布日 2022-05-13
分類號 H01L23/29（2006.01）I;H01L23/31（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I;H01L29/872（2006.01）I;H01L21/329（2006.01）I;H01L21/56（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 不公告發(fā)明人 申請（專利權(quán)）人 北京綠能芯創(chuàng)電子科技有限公司
代理機構(gòu) 上海段和段律師事務(wù)所 代理人 -
地址 101300北京市順義區(qū)中關(guān)村科技園區(qū)順義園臨空二路1號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型提供了一種用于增強可靠性的JBS碳化硅二極管器件結(jié)構(gòu),包括碳化硅襯底、多層外延層、正面電極、勢壘層、N型硅原子層、P型擴散區(qū)、P型分壓環(huán)、N型截止環(huán)、復(fù)合終端鈍化層、歐姆接觸層以及背面電極；形成具有隔離緩沖層的雙層碳化硅外延層，減少了碳化硅襯底的缺陷，有助于提高產(chǎn)品的良品率和可靠性；且通過N型截止環(huán)，可以有效的截斷漏電通道產(chǎn)生的漏電流，有助于減少器件邊緣漏電量大的情況發(fā)生；通過N型硅原子層，使得N型硅原子層與金屬形成硅基勢壘合金層，避免了碳化硅合金層帶來的高勢壘，降低正向?qū)〞r的勢壘高度，使得JBS碳化硅二極管的正向開啟電壓VF大幅度降低，降低了二極管的開通損耗，提高了系統(tǒng)可靠性。