P型氮化鎵器件的驅(qū)動裝置

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201910844358.5 申請日 -
公開（公告）號 CN112468119A 公開（公告）日 2021-03-09
申請公布號 CN112468119A 申請公布日 2021-03-09
分類號 H03K3/313(2006.01)I;H02M1/08(2006.01)I 分類 基本電子電路;
發(fā)明人 張益鳴;劉杰 申請（專利權(quán)）人 深圳芯能半導(dǎo)體技術(shù)有限公司
代理機構(gòu) 深圳眾鼎專利商標代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 詹建新
地址 518000廣東省深圳市龍崗區(qū)龍崗街道南約社區(qū)華豐數(shù)碼科技園八棟二樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種P型氮化鎵器件的驅(qū)動裝置，包括：驅(qū)動IC、穩(wěn)定電路、驅(qū)動電路、穩(wěn)壓電路、導(dǎo)通電路，所述穩(wěn)壓電路包括串聯(lián)連接的第一二極管和穩(wěn)壓電阻，所述第一二極管的陽極指向P型氮化鎵器件的柵極；其中，所述驅(qū)動IC的輸出端口分別與所述穩(wěn)壓電路的第一端口和所述導(dǎo)通電路的第一端口連接，所述穩(wěn)壓電路的第二端口分別與所述穩(wěn)定電路的第一端口和所述驅(qū)動電路的第一端口連接，所述導(dǎo)通電路的第二端口分別與所述穩(wěn)定電路的第一端口和所述驅(qū)動電路的第一端口連接，所述穩(wěn)定電路的第二端口和所述驅(qū)動電路的第二端口均與所述P型氮化鎵器件的柵極連接，所述驅(qū)動IC的接地端口和所述P型氮化鎵器件的源極均接地。本發(fā)明能提升P?GaN的可靠性。??