耗盡型晶體管的驅(qū)動(dòng)電路

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202010244330.0 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN111478564B 公開(kāi)（公告）日 2021-09-03
申請(qǐng)公布號(hào) CN111478564B 申請(qǐng)公布日 2021-09-03
分類號(hào) H02M1/088 分類 發(fā)電、變電或配電;
發(fā)明人 張益鳴;劉杰 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 深圳芯能半導(dǎo)體技術(shù)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 深圳眾鼎專利商標(biāo)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 張美君
地址 518000 廣東省深圳市龍崗區(qū)龍崗街道南約社區(qū)華豐數(shù)碼科技園八棟二樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)一種耗盡型晶體管的驅(qū)動(dòng)電路。該電路包括低壓MOS管，低壓MOS管的漏極與耗盡型晶體管的源極相連，低壓MOS管的源極接地，還包括直接驅(qū)動(dòng)電路和間接鎖定電路；間接鎖定電路與供電端和低壓MOS管的柵極相連，用于驅(qū)動(dòng)低壓MOS管開(kāi)啟，在耗盡型晶體管初次開(kāi)啟后鎖定低壓MOS管處于常開(kāi)狀態(tài)，在耗盡型晶體管暫時(shí)關(guān)閉后驅(qū)動(dòng)低壓MOS管關(guān)閉，鎖定耗盡型晶體管處于關(guān)閉狀態(tài)；直接驅(qū)動(dòng)電路與供電端、耗盡型晶體管的柵極和低壓MOS管的源極相連，用于在低壓MOS管處于常開(kāi)狀態(tài)時(shí)，直接驅(qū)動(dòng)耗盡型晶體管的開(kāi)啟或關(guān)閉。該電路可以通過(guò)低壓MOS管進(jìn)行一次開(kāi)啟和關(guān)閉，以使直接驅(qū)動(dòng)電路可以直接驅(qū)動(dòng)耗盡型晶體管開(kāi)啟或關(guān)閉，避免低壓MOS管的開(kāi)關(guān)速度有限所存在的問(wèn)題。