IGBT功率器件的封裝工藝

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110483268.5 申請日 -
公開（公告）號 CN113270328A 公開（公告）日 2021-08-17
申請公布號 CN113270328A 申請公布日 2021-08-17
分類號 H01L21/52（2006.01）I;H01L23/043（2006.01）I;H01L23/14（2006.01）I;H01L23/488（2006.01）I;H01L29/739（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 田永革;劉杰 申請（專利權(quán)）人 深圳芯能半導(dǎo)體技術(shù)有限公司
代理機構(gòu) 深圳中一聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 張全文
地址 518000廣東省深圳市龍崗區(qū)寶龍街道寶龍社區(qū)寶荷大道76號智慧家園二期2B1301
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明屬于電力電子技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種IGBT功率器件的封裝工藝。具體地，該IGBT功率器件的封裝工藝包括以下步驟：步驟S10：將多個焊接段焊接端正對于對應(yīng)的各個焊接區(qū)域進行放置；步驟S20：將多個條狀連接片的兩端分別正對于第一焊接區(qū)域和第二焊接區(qū)域的相應(yīng)位置進行放置；步驟S30：通過超聲波焊接設(shè)備將全部焊接段焊接端與全部條狀連接片的焊接端一次性地焊接固定在陶瓷覆銅板的相應(yīng)位置上。應(yīng)用本發(fā)明提供的IGBT功率器件的封裝工藝解決了應(yīng)用現(xiàn)有設(shè)計的封裝工藝裝配生產(chǎn)IGBT功率器件的生產(chǎn)效率低，無法滿足批量生產(chǎn)需求的問題。