一種超低方阻及低反射率導(dǎo)電膜及其制備方法和應(yīng)用

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110344692.1 申請日 -
公開（公告）號 CN113096852A 公開（公告）日 2021-07-09
申請公布號 CN113096852A 申請公布日 2021-07-09
分類號 H01B5/14（2006.01）I;H01B13/00（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 程武;鄭建萬;黃永祥;董劍;程志敏;師長明 申請（專利權(quán)）人 宜昌南玻顯示器件有限公司
代理機構(gòu) 宜昌市三峽專利事務(wù)所 代理人 成鋼
地址 443000湖北省宜昌市自貿(mào)區(qū)宜昌片區(qū)發(fā)展大道57-5號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種超低方阻及低反射率導(dǎo)電膜，該導(dǎo)電膜具體結(jié)構(gòu)包括由下至上設(shè)置的基材層、有機硅預(yù)涂層、無機物層、導(dǎo)電功能層、黑化層和保護層；其中無機物層為硅或者氧化物，導(dǎo)電功能層為銅或者銅合金層；黑化層為銅或者銅合金的氧化物、碳化物或氮化物；保護層為納米級氧化物。本發(fā)明公開的導(dǎo)電膜可實現(xiàn)方阻低于0.1Ω/□，波長550nm時表面反射率低于15%，且導(dǎo)電層對于基材的附著力達到JIS K 5600標(biāo)準≥4B。該產(chǎn)品可以應(yīng)用在超大尺寸觸控產(chǎn)品上，同時具有好的消影效果。