一種LED外延片及其制造方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201410738294.8 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN105720154B 公開（公告）日 2018-11-02
申請(qǐng)公布號(hào) CN105720154B 申請(qǐng)公布日 2018-11-02
分類號(hào) H01L33/14;H01L33/00 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 劉治;袁述 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 廣東量晶光電科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京慕達(dá)星云知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 廣東量晶光電科技有限公司
地址 528251 廣東省佛山市南海區(qū)平洲永安北路1號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種LED外延片及其制造方法，該方法包括以下步驟：在純氮?dú)饣虻谝换旌蠚夥障律L第一電子溢出阻擋層，在純氫氣或第二混合氣氛下生長第二電子溢出阻擋層，所述第一混合氣氛和第二混合氣氛均包含氮?dú)夂蜌錃?，所述第一混合氣氛中的氮?dú)獾谋壤哂跉錃獾谋壤?，所述第二混合氣氛中的氫氣的比例高于氮?dú)獾谋壤?。本發(fā)明中的LED外延片包括兩個(gè)在不同氣氛下生長得到的電子溢出阻擋層，能夠在保證Mg摻雜濃度的基礎(chǔ)上，有效地提高電子溢出阻擋層的空穴濃度，填補(bǔ)V型缺陷，避免電子溢流，并降低了Mg摻雜的GaN層的厚度，從而大幅提升了LED外延片的發(fā)光效率。