一種半導(dǎo)體發(fā)光器件制作的方法及半導(dǎo)體發(fā)光器件

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201611230364.4 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN106816508B 公開(kāi)（公告）日 2019-02-15
申請(qǐng)公布號(hào) CN106816508B 申請(qǐng)公布日 2019-02-15
分類號(hào) H01L33/22;H01L33/00 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 劉碩;劉治;萬(wàn)小承 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 廣東量晶光電科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 廣州三環(huán)專利商標(biāo)代理有限公司 代理人 廣東量晶光電科技有限公司
地址 528000 廣東省佛山市南海區(qū)平洲金谷光電社區(qū)A座一、二樓廠房
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)一種半導(dǎo)體發(fā)光器件制作的方法，包括如下步驟：在襯底上生產(chǎn)緩沖層和第一半導(dǎo)體層；在第一半導(dǎo)體層上制作周期性圖案，并將周期性圖案轉(zhuǎn)移到襯底表面，在襯底表面獲取表面改性區(qū)域；去除緩沖層和第一半導(dǎo)體層；在襯底上重新生長(zhǎng)第二半導(dǎo)體層、發(fā)光層和第三半導(dǎo)體層。本發(fā)明還公開(kāi)一種半導(dǎo)體發(fā)光器件，包括：襯底，以及襯底表面具有改性區(qū)域，以及依次在襯底結(jié)構(gòu)上生長(zhǎng)出的第二半導(dǎo)體層、發(fā)光層和第三半導(dǎo)體層。本發(fā)明通過(guò)外延工藝將部分半導(dǎo)體層區(qū)域改性處理，獲得表面粗化的LED外延片的同時(shí)，且不會(huì)增加LED芯片的工作電壓，提高了LED芯片的發(fā)光效率。