一種LED芯片及其制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201510010137.X 申請日 -
公開（公告）號 CN105826444B 公開（公告）日 2018-06-26
申請公布號 CN105826444B 申請公布日 2018-06-26
分類號 H01L33/38;H01L33/00 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 劉英策;胡紅坡;劉治 申請（專利權(quán)）人 廣東量晶光電科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京慕達(dá)星云知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 廣東量晶光電科技有限公司
地址 528200 廣東省佛山市南海區(qū)平洲金谷光電社區(qū)A座
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開一種LED芯片及其制造方法，該LED芯片包括襯底、緩沖層、N型層、發(fā)光層、P型層、電流擴(kuò)散導(dǎo)電層、P電極和N電極，與所述P電極接觸的電流擴(kuò)散導(dǎo)電層采用孔洞結(jié)構(gòu)，所述電流擴(kuò)散導(dǎo)電層的孔洞的大于P電極的尺寸。電流擴(kuò)散導(dǎo)電層的孔洞比P電極的尺寸大3～8um，P電極具有Finger結(jié)構(gòu)，且Finger結(jié)構(gòu)與所述LED芯片中的氧化銦錫接觸。本發(fā)明中的LED芯片能夠增強(qiáng)邊緣的電流擴(kuò)散導(dǎo)電層與電極之間的結(jié)合力，降低邊緣的電流擴(kuò)散導(dǎo)電層和電極之間的脫落風(fēng)險(xiǎn)。