金屬電極具有陣列型微結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管及其制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201210349636.8 申請日 -
公開（公告）號 CN103682021B 公開（公告）日 2016-12-07
申請公布號 CN103682021B 申請公布日 2016-12-07
分類號 H01L33/38(2010.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 周圣軍;王書方 申請（專利權(quán)）人 廣東量晶光電科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京瑞恒信達(dá)知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 廣東量晶光電科技有限公司
地址 528251 廣東省佛山市南海區(qū)平洲永安北路1號金谷光電社區(qū)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請?zhí)峁┝艘环N金屬電極具有陣列型微結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管，包括外延片襯底和制備在外延片襯底上的多層結(jié)構(gòu)，所述多層結(jié)構(gòu)由下至上依次為緩沖層、第一型半導(dǎo)體層、多量子阱活性層、電子阻擋層、第二型半導(dǎo)體層和透明電流擴(kuò)展層，第一型金屬電極和第二型金屬電極制備在透明電流擴(kuò)展層之上，且第一型金屬電極和透明電流擴(kuò)展層與第二型半導(dǎo)體層之間由絕緣層隔開。本申請還提供了相應(yīng)的發(fā)光二極管制作方法。本發(fā)明能夠明顯改善發(fā)光二極管芯片在制造過程中有源區(qū)面積大幅減小的情況，可以有效的提高發(fā)光二極管的光功率。