一種具有反射和電流阻擋特性的發(fā)光元件及其制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201210559322.0 申請日 -
公開（公告）號 CN103887384B 公開（公告）日 2018-05-04
申請公布號 CN103887384B 申請公布日 2018-05-04
分類號 H01L33/14;H01L33/10 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李琦 申請（專利權(quán)）人 廣東量晶光電科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京瑞恒信達(dá)知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 廣東量晶光電科技有限公司
地址 528251 廣東省佛山市南海區(qū)平洲永安北路1號金谷光電社區(qū)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請?zhí)峁┮环N具有反射和電流阻擋特性的發(fā)光元件及其制造方法，包括1）在襯底上依次外延生長緩沖層、n型氮化鎵基外延層、有源層和p型氮化鎵基層；2）在p型氮化鎵層上表面蝕刻出凹槽；3）用金屬反射材料填充p型氮化鎵層上的凹槽；4）制備電流阻擋層，該電流阻擋層覆蓋所述金屬反射材料；5）在電流阻擋層制備透明導(dǎo)電層，最后再制備p型電極和n型電極。本發(fā)明能夠提升發(fā)光元件外量子效率,并且成本低、工藝簡單且可靠性高。