一種倒裝LED芯片結(jié)構(gòu)及其制造方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201410425677.X 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN105449069B 公開（公告）日 2018-06-29
申請(qǐng)公布號(hào) CN105449069B 申請(qǐng)公布日 2018-06-29
分類號(hào) H01L33/38;H01L33/44;H01L33/62 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 劉英策;胡紅坡 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 廣東量晶光電科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京慕達(dá)星云知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 廣東量晶光電科技有限公司
地址 528251 廣東省佛山市南海區(qū)平洲金谷光電社區(qū)A座一、二樓廠房
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N倒裝LED芯片結(jié)構(gòu)及其制作方法，其中該方法包括：步驟1，依次布置襯底、緩沖層、N型層、發(fā)光層和P型歐姆接觸層；步驟2，通過刻蝕形成芯片隔離區(qū)；步驟3，在芯片兩側(cè)邊緣對(duì)稱分別形成N型電極形成區(qū)；步驟4，在P型歐姆接觸層之上形成擴(kuò)散反射層，在隔離區(qū)、N型電極形成區(qū)、擴(kuò)散發(fā)射層之上形成絕緣介質(zhì)膜層；步驟5、對(duì)N型電極型成區(qū)、擴(kuò)散反射層之上的絕緣介質(zhì)膜層形成N電極、P電極的窗口區(qū)，并對(duì)絕緣介質(zhì)膜層形成山脊分離形狀；步驟6、制作形成P型電極和N型電極，焊接于PCB板上。