一種強(qiáng)流霍爾離子源系統(tǒng)

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201110157976.6 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN102832091A 公開(kāi)（公告）日 2012-12-19
申請(qǐng)公布號(hào) CN102832091A 申請(qǐng)公布日 2012-12-19
分類號(hào) H01J27/16(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 楊松濤 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 北京中科九章空間科技發(fā)展有限責(zé)任公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 100190 北京市海淀區(qū)北四環(huán)西路9號(hào)銀谷大廈907
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種強(qiáng)流霍爾離子源。通常，霍爾離子源產(chǎn)生的離子流密度與能量偏低，不能滿足較高要求的鍍膜需要。本發(fā)明的目的是要提供一種離子流密度與能量較高的強(qiáng)流霍爾離子源系統(tǒng)。