一種氮化物L(fēng)ED結(jié)構(gòu)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201220260686.4 申請日 -
公開（公告）號 CN202977517U 公開（公告）日 2013-06-05
申請公布號 CN202977517U 申請公布日 2013-06-05
分類號 H01L33/10(2010.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 薛進營;曹鳳凱;劉獻偉;張宇欣;趙明;楊旅云;王明輝 申請（專利權(quán)）人 上海施科特光電材料有限公司
代理機構(gòu) 上海翼勝專利商標(biāo)事務(wù)所（普通合伙） 代理人 上海施科特光電材料有限公司
地址 201403 上海市奉賢區(qū)航南公路3958號4幢
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型公開了一種氮化物L(fēng)ED結(jié)構(gòu)。所述氮化物L(fēng)ED結(jié)構(gòu)，在襯底的一面包括金屬反射層、緩沖層、n型層、有源層、p型層、透明導(dǎo)電層、p電極和n電極，蝕刻外延結(jié)構(gòu)至接近露出或露出金屬反射層，在金屬反射層上制作n電極；所述金屬反射層具一定厚度和圖形空隙；n電極與金屬反射層直接連接或虛接。本實用新型通過有圖形空隙的金屬反射層來改變光路，提高了出光效率，改善了外延結(jié)構(gòu)的晶體質(zhì)量；n電極與金屬反射層的相連方式改善電流擁堵的現(xiàn)象，減少了LED器件的發(fā)熱；在制作n電極時不需要再蝕刻大面積的LED器件，在一定程度上增大了LED器件的有效發(fā)光面積，改善了其發(fā)光效率。