深紫外發(fā)光二極管及其制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011283746.X 申請日 -
公開（公告）號 CN112510126A 公開（公告）日 2021-03-16
申請公布號 CN112510126A 申請公布日 2021-03-16
分類號 H01L33/44(2010.01)I;H01L33/24(2010.01)I;H01L33/46(2010.01)I;H01L33/18(2010.01)I;H01L33/14(2010.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 范偉宏;薛脫;李東昇;張曉平;馬新剛;高默然;趙進超 申請（專利權）人 杭州士蘭明芯科技有限公司
代理機構 北京成創(chuàng)同維知識產權代理有限公司 代理人 蔡純;岳丹丹
地址 310018浙江省杭州市杭州經濟技術開發(fā)區(qū)白楊街道10號大街300號1幢1層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 公開了一種深紫外發(fā)光二極管及其制造方法，深紫外發(fā)光二極管包括外延層，外延層包括第一半導體層、多量子阱層以及第二半導體層，其中，外延層中包括第一臺階，第一臺階的一個臺階面為第二半導體層的表面，第一臺階的側壁為多量子阱層和第二半導體層的側壁，第一臺階的另一個臺階面為第一半導體層的表面；第一歐姆接觸層，與第一半導體層接觸；第二歐姆接觸層，與第二半導體層接觸。本申請通過在深紫外發(fā)光二極管的的外延層中形成陣列分布的第一臺階，并在第一臺階的側壁形成粗化表面，增加深紫外發(fā)光二極管的側壁面積比例，從而提高深紫外發(fā)光二極管的光提取效率。??