發(fā)光二極管

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> 2020211291995 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)(公告)號(hào) CN212434645U 公開(kāi)(公告)日 2021-01-29
申請(qǐng)公布號(hào) CN212434645U 申請(qǐng)公布日 2021-01-29
分類號(hào) H01L33/14(2010.01)I;H01L33/36(2010.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 張學(xué)雙;馬擁軍 申請(qǐng)(專利權(quán))人 杭州士蘭明芯科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京成創(chuàng)同維知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 李鎮(zhèn)江
地址 310018浙江省杭州市杭州經(jīng)濟(jì)技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)白楊街道10號(hào)大街300號(hào)1幢1層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 公開(kāi)了一種發(fā)光二極管,包括:透明襯底;依次位于透明襯底第一表面的第一外延層、有源層、第二外延層,第一外延層與第二外延層的摻雜類型不同;電流擴(kuò)展層位于第二外延層表面,電流擴(kuò)展層為臺(tái)階狀;第一電極,與第一外延層部分接觸;第二電極,位于電流擴(kuò)展層表面,靠近第二電極的電流擴(kuò)展層的厚度大于靠近第一電極的電流擴(kuò)展層的厚度。本申請(qǐng)?jiān)诘诙姌O與第二外延層之間設(shè)置了加厚的電流擴(kuò)展層,提升了芯片表面的電流分布均勻性,從而避免芯片局部電流集中導(dǎo)致的芯片局部過(guò)熱、性能降低等問(wèn)題。??