發(fā)光二極管

基本信息

申請?zhí)?/td> 2020211291995 申請日 -
公開（公告）號 CN212434645U 公開（公告）日 2021-01-29
申請公布號 CN212434645U 申請公布日 2021-01-29
分類號 H01L33/14(2010.01)I;H01L33/36(2010.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 張學(xué)雙;馬擁軍 申請（專利權(quán)）人 杭州士蘭明芯科技有限公司
代理機構(gòu) 北京成創(chuàng)同維知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 李鎮(zhèn)江
地址 310018浙江省杭州市杭州經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)白楊街道10號大街300號1幢1層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 公開了一種發(fā)光二極管，包括：透明襯底；依次位于透明襯底第一表面的第一外延層、有源層、第二外延層，第一外延層與第二外延層的摻雜類型不同；電流擴展層位于第二外延層表面，電流擴展層為臺階狀；第一電極，與第一外延層部分接觸；第二電極，位于電流擴展層表面，靠近第二電極的電流擴展層的厚度大于靠近第一電極的電流擴展層的厚度。本申請在第二電極與第二外延層之間設(shè)置了加厚的電流擴展層，提升了芯片表面的電流分布均勻性，從而避免芯片局部電流集中導(dǎo)致的芯片局部過熱、性能降低等問題。??